4代内存，一般二代内存支持4核cpu吗

1，一般二代内存支持4核cpu吗

后期915是支持ddr2代内存的。早期的支持一代。

第一代i7可以支持800hmz吧希望没记错

支持，不过发挥不了高端四核CPU（高端双核也一样）的全部性能，也就是所谓的瓶颈

主要是主板是否支持2代内存，，早期的4核可以用2代内存的，现在的Cpu都是需要3代内存了，

不是二代内存支持不，是主板支不支持。

一般二代内存支持4核cpu吗

2，内存4g ddr4是什么意思

内存是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。4g是内存的容量，是内存条的关键性参数。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。DDR4内存是新一代的内存规格，由于 DDR3 已经到达其性能和带宽的上限，为了继续满足人们对更高性能和增加带宽的需求，新一代 DDR SDRAM 应运而生。DDR4 的性能更高、DIMM 容量更大、数据完整性更强且能耗更低。扩展资料内存的技术指标1、奇偶校验奇/偶校验（ECC）是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。2、内存容量内存容量同硬盘、软盘等存储器容量单位都是相同的，它们的基本单位都是字节（B）。3、存取时间存取时间是内存的另一个重要指标，其单位为纳秒(ns)，常见的SDRAM有6ns，7ns， 8ns， 10ns等几种，相应在内存条上标为-6，-7，-8，-10等字样。4、频率内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。

内存4g ddr4是什么意思

3，六代i5配ddr4内存会出什么问题

4代I5没有 DDR4的主板就算想配都没有DDR4用6代处理器英特尔最新推出了第六代酷睿产品，采用全新一代的架构，性能提示、功能降低、续航更加长久、无论办公学习、畅玩游戏或者观看超高清影音，均得心应手，您也可以试试。感谢您对英特尔产品的支持！

你这个玩吃鸡还需要一个独立显卡才行，如果中效玩吃鸡只需加一个，微星gtx1050ti 4g红龙，1249块，如果是高效玩的话就需要再加一条，威刚8g ddr4 2400内存，489块，组成16g内存，索泰gtx1060 5g显卡，1559块，这样高效吃鸡没问题

六代i5配ddr4内存会出什么问题

4，内存条3代和4代的区别

DDR2时代单条内存2GB，双条4GB，对于办公还是OK的DDR3的机子单条8/16GB，这种机子可能与DDR4同等寿命，只有应用这种内存的平台彻底淘汰掉，它才会走不动。所以换代主要是内存频率的提升，速度的提升远远大于容积带来的体验，不过DDR4是DDR系列从SDRAM脱胎以来，变化最大的一次。在DRAM核心频率不变的情况下，传输速度的提高是通过增加prefetch的位数来做到的。例如同样是100MHz的核心频率，SDRAM一周期取一次，它和内存控制器的速度是100M T/s（这里的T是传输的意思）；DDR上升沿下降沿各取一次，相当于2次prefetch，Bus速度变成200；DDR2变成4n prefetch，Bus speed变成400；DDR3，照此办理，8n带来了800MT/S4代以前的内存条，低频漏电率降低功耗降低，工艺简单可大规模堆叠是换代的主要改动，这DDR外部总线的带宽可以稳定提升，而成本还没增加，简直两全其美。但是到了DDR4，这一套就行不通了。因为8N的prefetch 已经到了性能瓶颈。只得从核心频率上下手，不在徘徊于100-266HMz，而是直接从200起，直到400Mhz，因此核心频率得到了应有的提高，总线速度才得以提升。那么问题来了DDR5什么时候可以商用呢？

5，4G内存条4代什么意思

内存条的表述完整的是“品牌＋代数＋频率＋容量大小”；例如：镁光 DDR4 2400 4G。4G内存条指的是容量，4代指的是DDR4，常见的是DDR3和DDR4。

DDR4代内存，要买支持ddr4的内存插槽的主板才行

就是DDR4 4g，第四代内存

容量大小与ddr第几代没有关系！

内存是并不能提升计算机运算速度的，如果换一个q8400那速度肯定是绝对提升不少很明显就感觉出来了一台计算机运算速度依赖于cpu和显卡，内存只是一个辅助用的硬件。你这配置我看了，总体来说性能不低，在系统干净，后台程序较少的情况下可以流畅运行鬼泣4和极品14

6，为什么现在电脑内存条DDR3三代内存价格这么便宜啊2GB不到100

你好，因为现在DDR3内存是主流了，DDR2停产了，所以很多厂家都会大量生产DDR3内存，而且近来的内存颗粒比较廉价，所以会造成竞争，竞争就是斗价格低了，所以造成价格这么低了

上面说的都是在买家方面的想法，其实根本不是原因。什么供求关系，纯属废话，客户要求的4代、5代、6代的难道就瞬间生产出来了么？还有什么主流非主流的，正好是主客颠倒，正因为便宜才会成为主流。真正的原因是3代的内存技术越来越成熟，颗粒成本越来越低，需要的原材料越来越少、原材料节约的越来越多，所以越来越便宜。

DDR2快停产了

供大于求，生产成本低，价格也就低了

供求影响生产工艺影响成本影响具体的去读《资本论》吧

上游工厂生产的太多内存颗粒了堆货加上三星的22NM内存投产所以现在内存便宜

7，一代内存跟二代内存怎么区别

主要是闪存了外频不一样 DDR1 的外频有266 333 400 。 DDR2的外频分别有533 667 800

DDR 和DDRII的区别在于是否是双通道内存，以前的内存为266，333，400全部为单通道内存，那时因为CPU全部都是32位，而内存也是32位的，所以不需要采用双通道模式，也没有产生双通道技术。现在的CPU绝大多数都是64位的，为了克服32位内存在运行时带宽的限制，产生了双通道技术，因而内存基本上都是双通道的内存，即DDRII，规格有533，667，800，最新的还有1066的，因为DDRII生产量大，所以其价格反而更低。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDR还是DDR2无所谓一代二代，关键看你主板支持哪个，还要看你主板是否支持双通道。如何区分DDR内存一代与二代？最简单的方法是通过外表就能够看出来，.内存的接口明显的不一样.电压也不一样.DDR2是1.8V.DDR是2.5V的. 而且DDR2基本都是BGA的封装，DDR2内存的颗粒一般比较小，大体呈正方行，而DDR内存的颗粒呈长方形！接口,DDR2的金手指细密 DDR是184PIN DDR2是240PIN 明显比较密集点插槽也不兼容。品牌货一般有注明，2者都是1个缺口，或者看金手指，2代的更细密，有240个引脚，而1代是184个引脚看缺口两边的长度。DDR1缺口两边是成5：5一样长的，DDR2缺口两边是成5：6的。接口和频率不同，DDR1一般有DDR266 ,DDR333 ,DDR400，DDR2一般有DDR533，DDR667，DDR800 DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。我认为最大的特征就是芯片。DDR的芯片封装在周围都能看到引脚的，而且是长方形的。而DDR2的芯片封装周围是看不到引脚的，因为用了BGA封装，引脚都在芯片下面，而且颗粒都有点正方形的。

方法很简单看上面的颗粒 1代的是长方形 2代的是正方形如图 1代 2代还有就是看上面有写一个电压一代的2.5或者2.6 2代的是1.8 还有救是看缺口 1代在3：5的地方 2代在4：5的地方这个要习惯的人才能注意到不好区分的

看频率内存上都有写 1代内存频率为：333 400 2代内存频率为：533 667 800

8，LPDDR 4X是什么 4X和LPDDR4的区别

1、LPDDR4X是四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，是第四代移动设备的“工作记忆”内存。2、LPDDR4X和LPDDR4的区别有①传输速率不同LPDDR4 输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps。LPDDR4X 采用超薄先进封装，在提供与LPDDR4相同速度的同时，能够加快多任务处理速度并优化用户体验。②功耗不同LPDDR4 低功耗解决方案，与LPDDR3相比，功耗降低 37%。LPDDR4X 卓越的高能效解决方案在性能方面比超快的 LPDDR4 更进一步，而能耗比LPDDR4降低了17%。扩展资料：LPDDR4X的最新动态三星公司已开始量产行业第 2 代 10 纳米级*（1y 纳米）LPDDR4X（低功率、双倍数据速率、第 4 代）DRAM，以改善如今高级智能手机和其他移动应用的效率并降低电池消耗。与当前旗舰移动设备中使用较多的移动 DRAM 内存芯片（1x 纳米 16Gb LPDDR4X）相比，第 2 代 LPDDR4X DRAM 可降低高达 10% 的功耗，同时保持 4,266 兆位/秒 (Mb/s) 的相同数据速率。10 纳米级移动 DRAM 的推出，将有力增强下一代旗舰移动设备的性能，三星电子将继续扩展更加高级的 DRAM 产品阵容，引领高性能、高容量和低功率内存领域，满足市场需求。参考资料来源：三星电子官网-产品-四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器参考资料来源：三星电子官网-产品-四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

abdd4s是一个型号，而这个区别的在于这个不一定的。

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4代和3代比较有如下优势：1、LPDDR4的规范旨在带来高达3200MB/s的双倍数据速率，同时减少对移动设备的能源消耗。此外，LPDDR4支持16bit双通道(总位宽32bit)，而LPDDR3则只有单通道。2、核心功耗的减少，得益于缩短了的数据路径，同时这也让运行速度得到了进一步提升。LPDDR4每核心的带宽为17GB/s，但是也可以根据需要来做成更快的双通道。3、节能，最简单的就是降低运行电压了。LPDDR3的电压为1.2V，但是LPDDR4已经进一步降低到了1.1V。此外，新标准还改进了低频节能模式，因此设备可以在执行简单的后台任务的同时，将始终速度降下来，以便进一步节能电能。

lpddr全称low power double data rate缩写文直译低功耗双重数据比率实现低功耗指定内存同其设备数据交换标准专门用于移式电产品目前市场主流第三代叫做lpddr3三星galaxy s6&s6 edge使用14新代lpddr4技术同lpddr3相比新lpddr4提升否显著lpddr3lpddr4　　带宽更：与lpddr3相比lpddr4能够带高达50%性能提升由于带宽更内存敏型游戏应用、120fps慢作视频、及2k或4k级别视频录制直接受益运行些量占用ram应用由于需要量数据短间内存入ramlpddr4优势便体现　　功耗更低：值提lpddr4提升速度同工作电压降低1.1vlpddr31.2v继续增强手机续航能力　　频率更高：cpu支持度面目前仅高通骁龙810芯片三星exynos 7420芯片支持lpddr4内存意味着全球仅少数几款高端手机才能够享受lpddr4内存快

9，一代内存与二代内存的区别在哪里

什么是 DDR? DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称 , 全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品 , 本质上与 SDRAM 完全相同 . 什么是 DDR2? DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 . 什么是 DDR1? 有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。区别分析 : DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。例如， DDR2 的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。 DDR2 DIMMs 不能插入 DDR 的插口 , 反之也不能 , 因为内存模组有专门的 “ 键 ” 或者插口与其连接器相连。这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。所有 DDR 和 DDR2 模块类型是不同的 , 以防止插入了不兼容的插口 . 如果外观看 , 很难区别 DDR2 和 DDR 主板

集成的颗粒数不同,容量不同,频率不同,二者的内存扩展插槽是不一样的!所以不存在是否兼容的问题,而是说主板上的内存插槽支持哪种内存型号!!! 具体如下: 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2Gb/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOp芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FbGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOp封装形式，FbGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。